SK hynix เริ่มส่งตัวอย่าง HBM4E รุ่นใหม่ ความเร็ว 16Gbps ต่อพิน

SK hynix เริ่มส่งตัวอย่าง HBM4E ให้ลูกค้าแล้ว

SK hynix เดินหน้าเสริมความแข็งแกร่งในตลาดหน่วยความจำสำหรับ AI หลังประกาศเริ่มส่งมอบตัวอย่างหน่วยความจำ HBM4E รุ่นใหม่ให้กับลูกค้าแล้ว โดยชูจุดเด่นด้านความเร็วที่สูงขึ้น ความจุต่อสแต็กมากขึ้น และประสิทธิภาพด้านพลังงานที่ดีขึ้นเมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า

ในยุคที่ชิปประมวลผล AI ต้องรับมือกับข้อมูลจำนวนมหาศาล หน่วยความจำแบบ DDR ทั่วไปอาจไม่เพียงพอต่อความต้องการด้านแบนด์วิดท์ ทำให้ HBM หรือ High Bandwidth Memory กลายเป็นหน่วยความจำสำคัญสำหรับ AI accelerator, GPU และชิปประมวลผลประสิทธิภาพสูงรุ่นใหม่

HBM4E คืออะไร และทำไมถึงสำคัญกับ AI

HBM4E เป็นหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นใหม่ที่ออกแบบมาเพื่อรองรับงานประมวลผลขนาดใหญ่ โดยเฉพาะงานด้านปัญญาประดิษฐ์ เช่น การเทรนโมเดล AI, การประมวลผลข้อมูลขนาดใหญ่ และระบบดาต้าเซ็นเตอร์ระดับสูง

จุดเด่นของ HBM คือการนำชิปหน่วยความจำหลายชั้นมาซ้อนกันในแนวตั้ง ทำให้สามารถเพิ่มความจุและแบนด์วิดท์ได้มากกว่าแรมทั่วไป ขณะเดียวกันก็ช่วยลดพื้นที่ใช้งานบนแพ็กเกจของชิป

จุดเด่นของ SK hynix HBM4E

SK hynix ระบุว่า HBM4E รุ่นใหม่สามารถทำความเร็วได้สูงถึง 16Gbps ต่อพิน ซึ่งสูงกว่ามาตรฐาน HBM4 รุ่นก่อนหน้าที่ทำได้ 10Gbps ต่อพินอย่างชัดเจน

จุดเด่นสำคัญของ SK hynix HBM4E มีดังนี้

ความเร็ว 16Gbps ต่อพิน
ความจุ 48GB ต่อสแต็ก
ใช้การซ้อนชิปแบบ 12-layer stack
ประหยัดพลังงานมากกว่า HBM4 ประมาณ 20%
ใช้เทคโนโลยี MR-MUF เพื่อช่วยปกป้องวงจรภายใน
ลดความต้านทานความร้อนได้ประมาณ 17%
เหมาะกับชิป AI accelerator และระบบประมวลผลประสิทธิภาพสูง

ความจุ 48GB ต่อสแต็ก จากดีไซน์ 12 ชั้น

HBM4E ของ SK hynix ที่เริ่มส่งตัวอย่างให้ลูกค้าในรอบนี้ใช้โครงสร้างแบบ 12 ชั้น หรือ 12-layer stack โดยแต่ละสแต็กให้ความจุรวม 48GB

ความจุระดับนี้มีความสำคัญมากสำหรับชิป AI รุ่นใหม่ เพราะโดยปกติแล้ว AI accelerator มักใช้ HBM หลายสแต็กบนแพ็กเกจเดียวกัน หากใช้หลายสแต็กร่วมกันก็จะช่วยเพิ่มทั้งความจุรวมและแบนด์วิดท์ในการประมวลผลข้อมูล

เร็วกว่า HBM4 และเหนือกว่าตัวอย่างจาก Samsung

เมื่อเทียบกับ HBM4 รุ่นก่อนหน้า SK hynix HBM4E มีความเร็วต่อพินเพิ่มจาก 10Gbps เป็น 16Gbps ซึ่งถือเป็นการยกระดับที่ชัดเจนสำหรับงาน AI และ HPC

ก่อนหน้านี้ Samsung ได้เริ่มส่งตัวอย่าง HBM4E ของตัวเองเช่นกัน โดยระบุความเร็วไว้ที่ 14Gbps ต่อพิน ขณะที่ SK hynix ระบุว่ารุ่นของบริษัททำได้ 16Gbps ต่อพิน ทำให้การแข่งขันในตลาด HBM สำหรับ AI ยิ่งเข้มข้นขึ้น

ประหยัดพลังงานขึ้น 20% และระบายความร้อนได้ดีขึ้น

นอกจากเรื่องความเร็ว SK hynix ยังเน้นเรื่องประสิทธิภาพด้านพลังงาน โดยระบุว่า HBM4E รุ่นใหม่นี้ประหยัดพลังงานมากกว่า HBM4 ประมาณ 20%

อีกหนึ่งจุดสำคัญคือการใช้เทคโนโลยี MR-MUF หรือ Mass Reflow Molded Underfill ซึ่งเป็นกระบวนการที่ใช้วัสดุป้องกันระหว่างชั้นซิลิคอน เพื่อช่วยปกป้องวงจรภายในและเพิ่มความทนทานของสแต็กหน่วยความจำ

ผลลัพธ์คือ SK hynix ระบุว่าสามารถลดความต้านทานความร้อนได้ประมาณ 17% เมื่อเทียบกับดีไซน์เดิม ซึ่งมีส่วนช่วยให้การระบายความร้อนดีขึ้น โดยเฉพาะในระบบ AI server ที่ต้องทำงานหนักต่อเนื่องเป็นเวลานาน

ตลาด HBM ยังเป็นหัวใจสำคัญของชิป AI

การมาถึงของ HBM4E สะท้อนให้เห็นว่าตลาดหน่วยความจำสำหรับ AI ยังคงเติบโตอย่างรวดเร็ว เพราะชิป AI รุ่นใหม่ไม่ได้ต้องการแค่พลังประมวลผลสูงเท่านั้น แต่ยังต้องการหน่วยความจำที่มีแบนด์วิดท์สูงมากพอสำหรับการรับส่งข้อมูลระหว่างชิปกับหน่วยความจำ

ผู้ผลิตชิป AI และผู้ให้บริการดาต้าเซ็นเตอร์จึงให้ความสำคัญกับ HBM มากขึ้น โดยเฉพาะในยุคที่โมเดล AI มีขนาดใหญ่ขึ้น และต้องใช้ทรัพยากรในการประมวลผลมากขึ้นเรื่อย ๆ

สรุป

SK hynix HBM4E ถือเป็นอีกหนึ่งก้าวสำคัญของตลาดหน่วยความจำสำหรับ AI ด้วยความเร็ว 16Gbps ต่อพิน ความจุ 48GB ต่อสแต็ก และประสิทธิภาพพลังงานที่ดีขึ้นกว่า HBM4 ประมาณ 20%

แม้ตอนนี้ยังเป็นการส่งมอบตัวอย่างให้กับลูกค้า แต่การประกาศครั้งนี้แสดงให้เห็นว่า SK hynix กำลังเร่งผลักดัน HBM4E เพื่อรองรับชิป AI และระบบประมวลผลประสิทธิภาพสูงในอนาคต ขณะเดียวกันก็ทำให้การแข่งขันกับ Samsung และผู้ผลิตหน่วยความจำรายอื่นในตลาด HBM ยิ่งน่าจับตามองมากขึ้น

SiamGeek